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Modeling of FinFET: 3D MC Simulation Using FMM and Unintentional Doping Effects on Device Operation

机译：FinFET建模：使用Fmm和无意掺杂对器件操作的3D mC仿真

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Hasanur R. Khan; Dragica Vasileska; S. S. Ahmed; C. Ringhofer; Clemens Heitzinger;
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年度 2015
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1. Modeling of FinFET: 3D MC Simulation Using FMM and Unintentional Doping Effects on Device Operation [J] . HASANUR R. KHAN, DRAGICA VASILESKA, S.S. AHMED, Journal of Computational Electronics . 2004,第3a4期

机译：FinFET建模：使用FMM的3D MC仿真以及器件操作中的意外掺杂效应
2. Analytical modeling and simulation of multigate FinFET devices and the impact of high-k dielectrics on short channel effects (SCEs) [J] . Vadthiya Narendar, R.A. Mishra Superlattices and microstructures . 2015,第SEPa期

机译：多栅极FinFET器件的分析建模和仿真以及高k电介质对短沟道效应（SCE）的影响
3. Modeling the geometric effects on programming characteristics for the TANOS device by developing a 3D self-consistent simulation [J] . Kwang Sun Jeon, Kyu Sik Choe, Seongwook Choi, Solid-State Electronics . 2013,第JANa期

机译：通过开发3D自洽仿真来建模TANOS器件的编程特性上的几何效应
4. Examination of the Effects of Unintentional Doping on the Operation of FinFETs with Monte Carlo Simulation Integrated with Fast Multipole Method (FMM) [C] . H. Khan, S.S. Ahmed, D. Vasileska NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show(NSTI Nanotech 2005) vol.3; 20050508-12; Anaheim,CA(US) . 2005

机译：结合快速多极方法（FMM）的蒙特卡罗模拟研究无意掺杂对FinFET的操作的影响
5. Modeling and Simulation of the Programmable Metallization Cells (PMCs) and Diamond-Based Power Devices. [D] . Saremi, Mehdi. 2017

机译：可编程金属化电池（PMC）和基于金刚石的功率器件的建模和仿真。
6. Unraveling structural and compositional information in 3D FinFET electronic devices [O] . Henrique Trombini, Gabriel Guterres Marmitt, Igor Alencar, -1

机译：揭示3D FinFET电子设备中的结构和成分信息
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机译：FinFET和纳米线器件的混合三维量子力学模拟
8. Strong-Inversion Model of Threshold Voltage in Modulation Doped Field Effect Transistors: The Role of Unintentional Acceptors. [R] . Krantz, R. J., Bloss, W. L. 1989

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